降低DC/DC芯片的EMI輻射的方法：PCB設計是關鍵!
發表日期 ：2021-06-30 瀏覽次數 ：
通常，降壓DC/DC芯片變換器和其他高速電路的噪聲會通過有效天線路徑的連接電纜傳播輻射。為了阻斷這些潛在輻射路徑，就需要在每個電纜連接處過濾掉噪聲。因為只有噪聲源的磁場和電場沒有耦合到濾波器件或電纜中時，此種濾波才有效。
在近場環境中，場強的下降與距離平方的倒數成正比(1/d2)。因此，噪聲源、濾波器件和連接器之間必須有一個最小距離。
但實際上，通常會根據機械尺寸提前定義好PCB尺寸和電纜連接器的位置。另外，在PCB的某些區域中，最大元器件的高度可能非常有限，還有可能無法雙面組裝。這時，需仔細布局元器件的位置和PCB走線 - 尤其針對汽車制造等高標準行業。
布局規劃
為避免直接將降壓DC/DC芯片變換器中的電場磁場耦合進連接器和電纜，電路請務必盡遠離PCB連接點布置（見圖1）。
圖1：噪聲源離連接器和電纜越遠越好
距離或額外的屏蔽能降低電磁兼容濾波器、連接器和電纜的場強。可以考慮用屏蔽代替距離！
最好至少使用4層板、兩端貼片的PCB，這樣，降壓DC/DC芯片電路和濾波器件就可以放在板子的反面。其中，至少有一層應為全部的GND，以便最大限度地降低噪聲源到濾波電路的交叉耦合。
在降壓DC/DC芯片電路必須非常靠近連接器的系統中，一定要在設計早期考慮好有效的屏蔽。散熱片有時也可以用于屏蔽。理想情況下，電感、帶功率MOSFET的降壓DC/DC芯片IC及其去耦電容都應放在屏蔽層的下方。
PCB布局指南
在降壓變換器中，主要場源有：
高di/dt環路（熱環路），由兩個電源開關和輸入電容組成，輻射寬帶磁場
功率FET與電感之間的開關節點，帶有強電場輻射
電感，輻射電場和磁場
交流磁場通過固體金屬區域屏蔽，允許感應渦流。由于其高導電性，所以銅非常有效。PCB中返回固定電位的電位差路徑中的任何導體都能有效地屏蔽電場輻射。
任何高di/dt環路都會輻射與環路面積和電流幅度成比例的磁場。將輸入電容靠近兩個電源開關，并使用低阻抗連接，以最大限度地減小天線環路面積。
為了進一步減少來自該回路的磁場，需要在電源開關處對稱放置兩組電容。理想情況下，兩個回路中的峰值電流為原始值的一半，能將磁場降低至6 dB。而且兩個環路的方向相反，可以進一步減少輻射磁場。
在降壓DC/DC芯片電路的下一層中應該有一個完整的GND區域，且間隔需小于100μm。在此鋪銅區域中，流過電路元器件和PCB走線的高di/dt電流會產生渦流。渦流與元器件側的原始電流相反，它們的磁場會抵消原始磁場。
如果渦流能夠在最近的距離內對元器件側的高di/dt回路電流進行鏡像，則效果最佳。這可以減少來自PCB元器件側的磁場輻射。在理想情況下（超導、零距離且兩個環路完美匹配），輻射將被來自渦流的磁場抵消。
多層PCB的3D視圖說明了這一概念(圖 2)。
圖2：3D PCB視圖 - 布局是電路的一部分
頂層為輸入電容（CIN）、兩個功率FET連接VIN區域以及PGND區域（以紅色顯示），它們通過過孔連接到內層。對于VIN路徑，過孔后面的元件必須為電感（例如1μH至2μH的線圈）。來自開關轉換的高di/dt電流僅在CIN中流動，并不在PCB上流動。
PGND區域不直接連接到元件側的任何其他GND，只通過過孔連接到降壓DC/DC芯片模塊下的PGND區域（以藍色顯示）。這樣可以把高頻電流限制在在元件側，將噪聲與“外部世界”分開。PCB至少一層應該全是GND，以提供低阻抗的系統基準。請記住，布局也是電路的一部分。
應在電感下方鋪銅嗎？
某些PCB布局會預設置不得在電感核心下方鋪銅。對于這個問題觀點不一，有的認為完全不能鋪銅，而有的則覺得可以在PCB元件側線圈正下方鋪銅。
圖 3：線圈下沒有鋪銅的4層PCB
圖3顯示了線圈周圍的磁場圖，在4層PCB的任何層中線圈下方都沒有鋪銅。來自線圈的強磁場線出現在PCB的底部以及靠近PCB的地方，并耦合到任何連接的線徑中。PCB上的濾波器組件被空氣旁路。這使得滿足汽車OEM EMC目標實施起來非常困難，幾乎不可能。
圖4顯示的PCB布局中，銅直接位于元件側的線圈下方。
